660nm লাল এলইডি চিপ 5730 এসএমডি এলইডি

660nm এলইডি মানে হালকা নির্গমনকারী ডায়োড যা 660nm তরঙ্গদৈর্ঘ্য সহ। কিন্তু যখন আমরা 6060০nm এলইডি সম্পর্কে আলোচনা করি তখন এটি শিখর তরঙ্গদৈর্ঘ্য সম্পর্কে। এবং প্রতিটি একক এলইডি তাদের নিজস্ব তরঙ্গদৈর্ঘ্য থাকে। রেড এসএমডির পুরো ব্যাচের জন্য 660nm এ নেতৃত্বে। এটিতে একটি ব্যাপ্তি থাকবে। এই 5730fr667p8l14p2 এ, পরিসীমা 665nm থেকে 670nm। 665nm এলইডি লাইটগুলি সাধারণত এলইডি গ্রো লাইটগুলিতে ব্যবহৃত হয়। এই নির্দিষ্ট তরঙ্গদৈর্ঘ্য লাল বর্ণালীতে পড়ে এবং গাছগুলিতে সালোকসংশ্লেষণ এবং ফুলের প্রচারের জন্য পরিচিত। এটি উদ্ভিদ বৃদ্ধি এবং বিকাশের জন্য প্রয়োজনীয় হালকা শক্তি শোষণে সহায়তা করে। অতএব, 665nm এলইডি লাইটগুলি বিভিন্ন ধরণের গাছপালা চাষের জন্য অভ্যন্তরীণ উদ্যান এবং বাণিজ্যিক উদ্যানতত্ত্বে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

সংরক্ষণাগার শর্তাবলী:

1. ঘন ঘন আর্দ্রতা পরিবেশের অব্যাহত এক্সপোজার এড়িয়ে চলুন এবং পণ্যটিকে পরিবেষ্টিত তাপমাত্রায় দ্রুত রূপান্তর থেকে দূরে রাখুন;

2. এলইডি তাপমাত্রা ≤30 ℃ এবং আপেক্ষিক আর্দ্রতা <60%℃ দিয়ে সংরক্ষণ করা উচিত;

৩. মূল সিলযুক্ত প্যাকেজে পণ্যটি খোলার 72 ঘন্টার মধ্যে একত্রিত হওয়ার পরামর্শ দেওয়া হয়;

৪. এক সপ্তাহেরও বেশি সময় খোলা প্যাকেজে পণ্যটি 85-10 ℃ এ 6-8 ঘন্টা বেক করা উচিত;

এলইডি মাউন্টিং পদ্ধতি

1, এলইডি এর সীসা পিচটি অবশ্যই উপাদান স্থাপনের সময় পিসিবিতে মাউন্টিং গর্তগুলির পিচের সাথে মেলে;

সীসা গঠনের জন্য সীসা পিচটি গর্তের পিচের সাথে মেলে বীমা করার জন্য প্রয়োজন হতে পারে;

সঠিক সীসা গঠনের পদ্ধতিগুলির জন্য নীচের চিত্রটি দেখুন;

স্বল্প-সার্কিটগুলি রোধ করতে লিডফ্রেম এবং পিসিবির মধ্যে যোগাযোগের ক্ষেত্রে পিসিবি ট্রেসটি রুট করবেন না;

উল্লেখযোগ্য:

○ সঠিক মাউন্টিং পদ্ধতি;

× ভুল মাউন্টিং পদ্ধতি;

২. এলইডি-তে তারের সোল্ডারিং করার সময়, প্রতিটি তারের জয়েন্টগুলি শর্ট-সার্কিট যোগাযোগ রোধ করতে পৃথকভাবে তাপ-সঙ্কুচিত টিউব দিয়ে অন্তরক করা উচিত।

এলইডি লিডগুলি চিমটি এড়াতে এক তাপ সঙ্কুচিত টিউব উভয় তারের বান্ডিল করবেন না;

এলইডি লিডগুলিতে চিমটি চাপানো অভ্যন্তরীণ কাঠামোগুলিকে ক্ষতি করতে পারে এবং ব্যর্থতার কারণ হতে পারে;

উল্লেখযোগ্য:

○ সঠিক মাউন্টিং পদ্ধতি;

× ভুল মাউন্টিং পদ্ধতি;

৩. পিসিবির উপরে এলইডি নিরাপদে অবস্থান করতে স্ট্যান্ড-অফস (চিত্র 3) বা স্পেসার (চিত্র 4) ব্যবহার করুন;

৪. এলইডি লেন্সের বেস এবং প্রথম সীসা বেন্ডের মধ্যে সর্বনিম্ন 3 মিমি ছাড়পত্র বজায় রাখুন (চিত্র 5. চিত্র 6)

৫. সীসা গঠনের সময়, লিডগুলি সুরক্ষিতভাবে ধরে রাখতে সরঞ্জাম বা জিগগুলি ব্যবহার করুন যাতে বাঁকানো শক্তি এলইডি লেন্স এবং এর অভ্যন্তরীণ কাঠামোতে সংক্রমণ না করা হয়;

পিসিবিতে উপাদানটি মাউন্ট করা হয়ে গেলে সীসা গঠন সম্পাদন করবেন না;

এল ইড গঠনের পদ্ধতি

1. সীসা গঠনের পদ্ধতি;

2. লিডগুলি দ্বিগুণের বেশি বাঁকবেন না (চিত্র 7);

৩. সোল্ডারিংয়ের সময়, সোল্ডারিংয়ের সময় এলইডি (চিত্র 8) এর উপর ক্ষতিকারক চাপ না দেওয়া এড়াতে উপাদান কভার এবং ধারকদের ছাড়পত্র ছেড়ে দেওয়া উচিত;

৪. সোল্ডারিং লোহার টিপটি কখনই লেন্সের ইপোক্সিকে স্পর্শ করা উচিত নয়;

৫. মাধ্যমে গর্তের এলইডিগুলি রিফ্লো সোল্ডারিংয়ের সাথে বেমানান;

The। যদি এলইডি একাধিক সোল্ডারিং পাস করে বা অন্য প্রক্রিয়াগুলির মুখোমুখি হয় যেখানে অংশটি তীব্র উত্তাপের শিকার হতে পারে দয়া করে সামঞ্জস্যের জন্য সেরা এলইডি সহ চেক করুন;